ÉTUDE THÉORIQUE D’UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE FABRIQUÉE DE MATÉRIAUX À BASE D’ARSÉNIQUE

Abstract

Dans le contexte global de la diversification de l’utilisation des ressources naturelles, le recours aux énergies renouvelables et en particulier le solaire photovoltaïque se fait de plus en plus fort. A ce titre, le développement d’une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à base de matériaux autres que le Silicium prometteur. Nous nous intéressons principalement aux matériaux à base de d’Arsénique, en particulier le GaAs et le BAs. Dans ce travail de modélisation et de simulation, nous utilisons le code de calcul Wien2k pour déterminer les paramètres des matériaux puis le logiciel SCAPS pour étudier les performances des cellules solaires dont la couche active est l’un des deux matériaux en question. Nous évaluons dans un premier temps, le courant de court-circuit Isc, la tension en circuit ouvert Voc, le facteur de forme FF et le rendement électrique η pour une structure typique n-i-p dont la couche HTL est le p-Si et la couche ETL est le n-Si associé au n-TiO2. Par la suite nous étudions l’influence de la température et l’épaisseur de la couche active sur les paramètres de sortie, surtout le rendement électrique de la structure.